ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ПРИМЕСНОГО МОЛЕКУЛЯРНОГО ИОНА A2+ В СФЕРИЧЕСКИ-
СИММЕТРИЧНОЙ КВАНТОВОЙ ТОЧКЕ 

Кревчик Владимир Дмитриевич, доктор физико-математических наук, профессор, декан физико-
математического факультета, Пензенский государственный университет (г. Пенза, ул. Красная, 40), physics@pnzgu.ru
Левашов Александр Владимирович, кандидат физико-математических наук, доцент, кафедра физики, Пензенский государственный университет (г. Пенза, ул. Красная, 40), physics@pnzgu.ru 

535.8; 537.9; 539.33 

Цель исследования: теоретическое исследование влияния обменного взаимодействия, связанного с изменением пространственной конфигурации молекулярного иона A2+ в объеме сферически-симметричной квантовой точки, на термы и энергетический спектр A2+ -центра. Численный анализ полученных дисперсионных уравнений проведен для случая квантовой точки на основе InSb. Для расчета энергетического спектра A2+ -центра в квантовой точке, описываемой в рамках модели «жестких» стенок, использовался метод потенциала нулевого радиуса и приближение эффективной массы. Исследовано влияние обменного взаимодействия, инициированного изменением пространственной конфигурации A2+ -центра в объеме квантовой точки, на положение g- и u-термов примесного молекулярного иона. Показано, что с ростом обменного взаимодействия возрастает величина расщепления между термами и заметно изменяется энергия связи g- и u-состояний A2+ -центра. Обменное взаимодействие между A2+ -центрами в молекулярном ионе A2+ может приводить
к существенной модификации g- и u-термов A2+ -центра и, как следствие, к изменению положения пика фотолюминесценции, связанного с излучательным переходом фотовозбужденного электрона в g-состояние A2+ -центра. 

сферически-симметричная квантовая точка, термы примесного молекулярного иона, обменное взаимодействие, величина расщепления между термами, пространственная конфигурация примесного молекулярного иона, метод потенциала нулевого радиуса. 

1. Петров, П. В. Циркулярно поляризованная фотолюминесценция, связанная с A+ -центрами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs / П. В. Петров, Ю. Л. Иванов, К. С. Романов, А. А. Тонких, Н. С. Аверкиев // Физика и техника полупроводников. – 2006. – Т. 40, № 9. – С. 1099–1102.
2. Петров, П. В. Молекулярное состояние A+ -центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs / П. В. Петров, Ю. Л. Иванов, А. Е. Жуков // Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т. 41, № 7. – С. 850–853.
3. Кревчик, В. Д. Идентификация молекулярных состояний A+ -центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs / В. Д. Кревчик, А. В. Левашов // Нанотехнологии, экология, производство. – 2011. – № 4 (11). – С. 106–108.